Pasangan BJT (bipolar junction transistor) 2SA1943(PNP) dan 2SC5200(NPN) ini memiliki kapabilitas arus yang besar (IC= 15A) dan frekuensi transisi tinggi (tipikal fT=30 MHz), ideal untuk digunakan pada aplikasi penguat keluaran audio fidelitas tinggi (Hi-Fi Audio Power Output Amplifier) berkekuatan 100 Watt RMS.

Kedua transistor yang berkomplemen ini juga dapat digunakan pada konfigurasi Darlington Pairuntuk aplikasi penguat (general purpose amplifier) hingga PD(max)= 150 Watt DC (pada 25°C, menurun linear sebesar 1,04W per kenaikan 1°C). Kapasitansi tipikal pada terminal kolektor sebesar 360 pF untuk 2SA1943 dan 200 pF untuk 2SC5200.

Beda potensial antara terninal kolektor dengan terminal basis atau emitor dapat mencapai hingga 230 Volt, antara basis dengan emitor 5 Volt, hFE(power gain) antara 55 ~ 160 (kelas R) untuk masing-masing transistor pada VCE=±5V dan IC=±1A.

Transistor buatan Toshiba ini dikemas dalam kesaman 2-21F1A (ukuran badan 20,5 x 26 x 2,8 mm, berat 9,75g, panjang pin terminal 20 mm, lebar 1mm, jarak antar pin 5,45 mm).